Проводимость мембраны в покое и амплитуда синаптического потенциала
Электрическая схема, показанная на рис. 9.12 А, может быть упрощена, если представить мембрану в состоянии покоя как единую проводимость, g(rest) , (равную сумме всех ионных проводимостей), и одну электрическую батарейку, Vrest , (равную мембранному потенциалу покоя). Синаптическая мембрана может быть представлена одной проводимостью дельта[g(s)] и батарейкой с потенциалом Vr ( рис. 9.12 В). Свойством этой электрической схемы является зависимость амплитуды синаптического потенциала как от дельта[g(rest)] , так и от дельта[g(s)] .
Для простоты рассмотрим, какой потенциал образуется в том случае, если синаптическая проводимость активируется на длительное время. Если дельта[g(s)] намного больше, чем g(rest) , то мембранный потенциал должен приблизится к Vr. Если дельта[g(s)] равна g(rest) , то изменение мембранного потенциала, вызванное активацией синаптической проводимости, должно быть вдвое меньше. Таким образом, амплитуда синаптического потенциала может увеличиваться либо при увеличении синаптической проводимости (т.е. при активации большего количества синаптических каналов), либо при уменьшении проводимости мембраны в состоянии покоя.
Уменьшение мембранной проводимости является важным механизмом модуляции эффективности синаптической передачи. Например, определенные входы на клетки вегетативного ганглия жабы вызывают закрывание калиевых каналов, и это приводит к возрастанию амплитуды возбуждающих синаптических потенциалов, вызываемых другими входами на эти клетки ( глава 16 ).
